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氮化镓半导体器件迎来红利期 2027年市场规模将达58.5亿美元

2020-10-12 来源:来自网络 Print This Post 繁体版 [字号]

氮化镓(GaN)–维基百科

【希望之声2020年10月12日讯】(希望之声编译组)基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。

根据市场研究机构Grand View Research进行的一项氮化镓(GaN)半导体市场研究,预测到2027年,全球氮化镓(GaN)半导体器件市场规模预计将达到58.5亿美元,从2020年到2027年,复合年增长率为19.8%。

市场增长原因,因氮化镓(GaN)技术进步及在各种半导体器件产品应用,如5G无线通信设备的需求,呈现增长态势,推动了整体需求的成长。

(转载请注明希望之声)


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