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科学家发现刺激大脑特定区域可提高记忆力

2017-11-17 来源: 希望之声广播电台 Print This Post 繁体版 [字号]
   

 

图片来源:Flickr

【希望之声2017年11月17日讯】(希望之声编译组)据英国每日邮报报道,美国南加州大学的研究人员,最近设计了一种新的大脑植入体,它可以帮助提高人大脑的记忆功能。

这种大脑植入体由植入人大脑的电极组成,植入的位置是人大脑中涉及学习和记忆的区域, 该植入体通过给人大脑中的海马体进行轻度的电击,以模拟人大脑的记忆方式。在实验中,研究人员给20名志愿者的大脑植入电极,首先给志愿者们看一些图片,然后在75秒钟后,让他们回忆他们所看到的那些图片。在对比试验中,当志愿者们在看图片时,研究人员通过植入的电极,轻微地刺激志愿者大脑的特定区域, 结果发现志愿者们的记忆表现提高了30%。

研究人员表示,这一发现可能会对治疗人与记忆有关的疾病,比如痴呆症等,带来帮助。

(转载请注明希望之声)

   

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